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微細構造解析プラットフォーム　共用設備

共用設備 1
極低温高分解能透過電子顕微鏡 / 日本電子 JEM-2100F(G5)

分解能 0.2 nm 加速電圧 200 kV ヘリウムステージ ヘリウム保持時間：4時間 電子銃 ZrO/W(100)FEG CCD Camera 2048x2048 pixel 特徴 試料温度を液体ヘリウム温度に保って観察が可能です。クライオトランスファー機構を備え、試料を急速冷凍後、外気にさらさずに導入可能です。CCD カメラのほか、イメージングプレートを用いた撮影が可能です。

共用設備 2
球面収差補正透過電子顕微鏡 / 日本電子 JEM-2200FS

空間分解能 0.1 nm (収差補正後) 加速電圧 200 kV 電子線分光器 Ω型フィルタ / エネルギー分解能 0.8 eV 電子銃 ZrO/W(100) ショットキー電子銃 CCD Camera 2048x2048 pixel 収差補正装置 CEOS Cs 補正装置(TEMモード用) 特徴 TEM/STEM 両モードでの測定が可能です。試料加熱ホルダ、低温ホルダなど各種の試料ホルダが利用可能な汎用の分析電子顕微鏡です。

共用設備 3
モノクロメータ搭載低加速原子分解能分析電子顕微鏡 / 日本電子 JEM-ARM200F

加速電圧 200 kV, 60 kV モノクロメータ ダブルウィーンフィルター 球面収差補正装置 CEOS社製 エネルギーフィルター Gatan966　QuantumERS EDX装置 JED-2300T SDD100GV (JEOL製) 特徴 EDX による原子分解能での元素マッピング、高エネルギー分解能のEELS測定などが可能です。

共用設備 4
複合ビーム加工観察装置 / 日本電子 JIB-4700F FIB/SEM

[New] 2023年3月稼働予定 SEM観察用電子銃 加速電圧 0.1-30 kV 加工用Gaイオン源 1～30ｋV 試料ステージ 常温・クライオステージ 試料室内マニピュレータ 最大電流 90 ｎA 分解能 1.2 nm (SEM) 特徴 FIB/SEM 一体型で加工・観察を行える装置です。 主としてセラミックスや金属などの比較的硬い試料を Ga イオンビームで切断し、薄片化することができます。 三次元EDS分析が可能です EBSD分析が可能です

共用設備 4'
複合ビーム加工観察装置 / 日本電子 IB-09060CIS クライオイオンスライサ

[New] 2023年3月稼働予定 イオン銃 アルゴン 1-8 kV ミリングスピード 5 μm / min 試料ステージ -120℃ 8時間 特徴 TEM/SEM 用断面試料作製 低温でアルゴンイオンビームによる断面加工を行う装置です。FIBのような複雑な形状の加工は出来ませんが、より手軽に試料作製することが可能です。

共用設備 5
ミクロトーム / Leica社製 ULTRACUT UCT

ステージ クライオステージ(室温～液体窒素温度)、室温 特徴 比較的柔らかい有機物などをダイヤモンドナイフで切削して薄片化し、電子顕微鏡試料を作製する装置です。

共用設備 6
精密イオン研磨装置 / Gatan社製　Model691/PIPS

Arイオン銃 0.1～5 kV　（2系統） 試料ステージ 低温ステージ（室温～液体窒素温度） 特徴 収束イオンビーム装置やディンプリング装置で作製した試料の表面を Ar イオンピームで精密研磨する装置です。主に試料作製の仕上げに使用します。

共用設備 7
ディンプリング装置 / South Bay Technology社製 D500i

特徴 比較的硬い試料をダイヤモンドペースト等を用いて研磨し、窪みを作って薄片化する装置です。主に断面試料作製に使用します。